IMZA65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IMZA65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +20V, -2V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IMZA65R083M1HXKSA1 nach Preis ab 11.63 EUR bis 20.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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IMZA65R083M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V |
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IMZA65R083M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm |
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| IMZA65R083M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
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| IMZA65R083M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
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| IMZA65R083M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
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| IMZA65R083M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
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