IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies
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| 105+ | 5.17 EUR |
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Technische Details IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMZA65R107M1HXKSA1 nach Preis ab 4.51 EUR bis 9.64 EUR
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IMZA65R107M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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IMZA65R107M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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IMZA65R107M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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IMZA65R107M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
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IMZA65R107M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMZA65R107M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IMZA65R107M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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IMZA65R107M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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IMZA65R107M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| IMZA65R107M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 139mΩ Drain current: 13A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 75W Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC |
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