
IMZA75R060M1HXKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 14.50 EUR |
10+ | 11.62 EUR |
25+ | 10.65 EUR |
100+ | 9.75 EUR |
240+ | 9.19 EUR |
480+ | 8.78 EUR |
1200+ | 8.54 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMZA75R060M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IMZA75R060M1HXKSA1 nach Preis ab 9.87 EUR bis 15.10 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IMZA75R060M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
![]() |
IMZA75R060M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |