IMZC120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 23.76 EUR |
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| 100+ | 18.11 EUR |
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Technische Details IMZC120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 329W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote IMZC120R022M2HXKSA1 nach Preis ab 13.68 EUR bis 24.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IMZC120R022M2HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IMZC120R022M2HXKSA1Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 18V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-17 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V |
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IMZC120R022M2HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 329W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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