
IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 20.87 EUR |
10+ | 18.32 EUR |
100+ | 15.86 EUR |
240+ | 15.33 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 289W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote IMZC120R026M2HXKSA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IMZC120R026M2HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 289W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |