IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 28.06 EUR |
| 30+ | 17.11 EUR |
| 60+ | 15.82 EUR |
| 120+ | 14.72 EUR |
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Technische Details IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 289W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote IMZC120R026M2HXKSA1 nach Preis ab 15.05 EUR bis 38.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IMZC120R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
 SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMZC120R026M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 289W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMZC120R026M2HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 28.5 EUR |
| 10+ | 21.69 EUR |
| 100+ | 18.08 EUR |
| 480+ | 16.1 EUR |
| 1200+ | 15.05 EUR |
| IMZC120R026M2HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
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Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 38.39 EUR |
| 8+ | 30.65 EUR |
| 10+ | 24.1 EUR |
| 50+ | 22.75 EUR |
| 100+ | 21.34 EUR |