IPA028N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA028N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP, Mounting: THT, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 63A, On-state resistance: 2.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 38W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 356A, Case: TO220FP, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IPA028N04NM3SXKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IPA028N04NM3SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 40V Drain current: 63A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 356A Case: TO220FP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA028N04NM3SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V PG-TO220-3 |
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| IPA028N04NM3SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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IPA028N04NM3SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 40V Drain current: 63A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 356A Case: TO220FP |
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