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IPA057N06N3GXKSA1

IPA057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies


ipa057n06n3_rev20.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPA057N06N3GXKSA1 IPA057N06N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON 2354724.pdf Description: INFINEON - IPA057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPA057N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon IPA057N06N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a3043284aacd8012882b3ac145428 Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA057N06N3GXKSA1 TIPA057n06n3g
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IPA057N06N3GXKSA1 IPA057N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPA057N06N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a3043284aacd8012882b3ac145428 Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
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IPA057N06N3GXKSA1 IPA057N06N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPA057N06N3_DS_v02_00_en-1731661.pdf MOSFET N-Ch 60V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
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