IPA057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.7mΩ
Drain current: 60A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 38W
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 21+ | 3.53 EUR |
| 27+ | 2.69 EUR |
| 47+ | 1.52 EUR |
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Technische Details IPA057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPA057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPA057N06N3GXKSA1 nach Preis ab 1.52 EUR bis 3.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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IPA057N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220FP Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.7mΩ Drain current: 60A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 38W Drain-source voltage: 60V Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPA057N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA057N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA057N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA057N06N3GXKSA1 TIPA057n06n3g Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPA057N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V |
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IPA057N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3 |
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