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IPA50R190CEXKSA2

IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies

121515206651138infineon-ipa50r190ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624f205c9a014f5f.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V.

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IPA50R190CEXKSA2 IPA50R190CEXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies 121515206651138infineon-ipa50r190ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624f205c9a014f5f.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
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