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IPA50R500CEXKSA2

IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA50R500CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 28W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies 27554348750563infineon-ipa50r500ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249cd10140149e6.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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85+2.01 EUR
148+1.11 EUR
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IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPA50R500CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149e640abc53919 Description: MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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50+1.19 EUR
100+1.08 EUR
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IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon_IPA50R500CE_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
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2+2.64 EUR
10+1.25 EUR
100+1.11 EUR
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1000+0.83 EUR
2500+0.8 EUR
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IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 INFINEON Infineon-IPA50R500CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149e640abc53919 Description: INFINEON - IPA50R500CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
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80+3.15 EUR
169+1.38 EUR
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IPA50R500CEXKSA2
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IPA50R500CEXKSA2
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85+2.07 EUR
149+1.17 EUR
161+1.06 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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82+2.17 EUR
100+2.03 EUR
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Description: MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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AnzahlPrivatkunde
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100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
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2+2.64 EUR
10+1.25 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.77 EUR
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Description: INFINEON - IPA50R500CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
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