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IPA50R500CEXKSA2

IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies

27554348750563infineon-ipa50r500ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249cd10140149e6.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA50R500CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 11.1, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: CoolMOS CE, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45, Rds(on)-Prüfspannung: 13, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPA50R500CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149e640abc53919 Description: MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
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IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPA50R500CE_DS_v02_02_EN-3164051.pdf MOSFET CONSUMER
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2500+ 0.83 EUR
10000+ 0.8 EUR
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IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002220531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA50R500CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.1
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Rds(on)-Prüfspannung: 13
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies 27554348750563infineon-ipa50r500ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249cd10140149e6.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R500CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies 27554348750563infineon-ipa50r500ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249cd10140149e6.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R500CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
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