
IPA60R120P7 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IPA60R120P7 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Kind of package: tube, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.12Ω, Drain current: 16A, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 28W, Technology: CoolMOS™ P7, Drain-source voltage: 600V, Case: TO220FP, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IPA60R120P7 | Hersteller : Infineon Technologies | Infineon HIGH POWER_NEW |
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IPA60R120P7 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 16A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 28W Technology: CoolMOS™ P7 Drain-source voltage: 600V Case: TO220FP |
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