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IPA60R120P7

IPA60R120P7 Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Technologies
Infineon HIGH POWER_NEW
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Technische Details IPA60R120P7 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Kind of package: tube, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.12Ω, Drain current: 16A, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 28W, Technology: CoolMOS™ P7, Drain-source voltage: 600V, Case: TO220FP.

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IPA60R120P7 IPA60R120P7 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E184A487B3A749&compId=IPA60R120P7.pdf?ci_sign=2a32c7f9e43909d9c30658870980b04c399f73e2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: TO220FP
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