Technische Details IPA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 26W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.
Weitere Produktangebote IPA60R180P7XKSA1 nach Preis ab 2.06 EUR bis 6.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
|
IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
|
IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
 |
IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
IPA60R180P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
 |
IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 268 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA60R180P7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 4.2 EUR |
| 82+ | 2.12 EUR |
| 100+ | 2.06 EUR |
| IPA60R180P7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 5.53 EUR |
| IPA60R180P7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 5.55 EUR |
| IPA60R180P7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.09 EUR |
| 50+ | 3.03 EUR |
| 100+ | 2.74 EUR |
| IPA60R180P7XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
Description: INFINEON - IPA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 6.68 EUR |
| 76+ | 3.06 EUR |
| 100+ | 2.57 EUR |
| IPA60R180P7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)