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IPA60R190C6XKSA1

IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies

infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.53 EUR
100+2.27 EUR
500+1.86 EUR
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IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 26 Stücke:
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26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
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190+2.89 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012264ffa8d31148 MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.79 EUR
10+2.92 EUR
100+2.66 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.01 EUR
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IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012264ffa8d31148 Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
auf Bestellung 9053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.67 EUR
50+3.37 EUR
100+3.05 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.3 EUR
2000+2.15 EUR
5000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPA60R190C6XKSA1 infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf
IPA60R190C6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
57+2.53 EUR
100+2.27 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.81 EUR
2000+1.73 EUR
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IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6-DTE.pdf
IPA60R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 26 Stücke:
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26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPA60R190C6XKSA1 infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf
IPA60R190C6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
190+2.89 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012264ffa8d31148
IPA60R190C6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+5.79 EUR
10+2.92 EUR
100+2.66 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.01 EUR
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IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012264ffa8d31148
IPA60R190C6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
auf Bestellung 9053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+6.67 EUR
50+3.37 EUR
100+3.05 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.3 EUR
2000+2.15 EUR
5000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R190C6XKSA1 INFN-S-A0004583470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH