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IPA60R190P6XKSA1

IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies

infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Technische Details IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 34W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.81 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 327 Stücke:
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239+2.77 EUR
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IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.86 EUR
36+2.42 EUR
50+1.81 EUR
100+1.58 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1495 Stücke:
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34+5.24 EUR
63+2.76 EUR
100+2.43 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.25 EUR
63+2.7 EUR
100+2.34 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.58 EUR
63+2.78 EUR
100+2.23 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.55 EUR
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.6 EUR
63+2.73 EUR
100+2.15 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPA60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
50+2.96 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON INFNS27987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.34 EUR
61+3.81 EUR
100+2.68 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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500+1.81 EUR
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239+2.77 EUR
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+2.86 EUR
36+2.42 EUR
50+1.81 EUR
100+1.58 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+5.24 EUR
63+2.76 EUR
100+2.43 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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auf Bestellung 1495 Stücke:
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63+2.7 EUR
100+2.34 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.58 EUR
63+2.78 EUR
100+2.23 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.55 EUR
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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auf Bestellung 3354 Stücke:
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63+2.73 EUR
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1000+1.44 EUR
2500+1.31 EUR
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Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
auf Bestellung 1165 Stücke:
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50+2.96 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPA60R190P6XKSA1 INFNS27987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
auf Bestellung 556 Stücke:
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