IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies
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| 341+ | 0.42 EUR |
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Technische Details IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPA60R1K0CEXKSA1 nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.01 EUR
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R1K0CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 6.8A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.8A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 860mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 13nC |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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