Technische Details IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPA60R1K0CEXKSA1 nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 90500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Power Dissipation (Max): 26W (Tc) |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA60R1K0CEXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R1K0CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 343+ | 0.51 EUR |
| IPA60R1K0CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 90500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.73 EUR |
| IPA60R1K0CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 2.26 EUR |
| IPA60R1K0CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.37 EUR |
| 10+ | 1.11 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2500+ | 0.63 EUR |
| IPA60R1K0CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.39 EUR |
| 50+ | 1.19 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| IPA60R1K0CEXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)