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IPA60R280E6XKSA1

IPA60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C3FCF1A931BF&compId=IPA60R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ff2c74d461761c5dd4f594410d6756d5d454b154 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ E6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 13.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 32W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
auf Bestellung 474 Stücke:
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Anzahl Preis
35+2.07 EUR
40+1.83 EUR
44+1.66 EUR
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Technische Details IPA60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPA60R280E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C3FCF1A931BF&compId=IPA60R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ff2c74d461761c5dd4f594410d6756d5d454b154 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ E6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 13.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 32W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
40+1.83 EUR
44+1.66 EUR
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IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1190305545441806infineon-ipa60r280e6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a304327b8975001281f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPA60R280E6-DS-v02_03-EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
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IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6XKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004583476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R280E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPA60R280E6XKSA1 Hersteller : Infineon IPA60R280E6_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281f9863f444e6 Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA60R280E6XKSA1 TIPA60r280e6
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IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPA60R280E6_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281f9863f444e6 Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
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