IPA60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 38+ | 1.93 EUR |
| 43+ | 1.7 EUR |
| 47+ | 1.53 EUR |
| 50+ | 1.44 EUR |
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Technische Details IPA60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPA60R280E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPA60R280E6XKSA1 nach Preis ab 1.61 EUR bis 8.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPA60R280E6XKSA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA60R280E6XKSA1 TIPA60r280e6Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPA60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6 |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA60R280E6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R280E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA60R280E6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA60R280E6XKSA1 TIPA60r280e6
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA60R280E6XKSA1 TIPA60r280e6
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.68 EUR |
| IPA60R280E6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
MOSFETs N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.82 EUR |
| 100+ | 2.22 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| IPA60R280E6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R280E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPA60R280E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



