IPA60R400CEXKSA1 Infineon Technologies
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| 189+ | 0.77 EUR |
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Technische Details IPA60R400CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPA60R400CEXKSA1 nach Preis ab 0.78 EUR bis 2.76 EUR
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IPA60R400CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA60R400CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA60R400CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA60R400CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP Drain current: 10.3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPA60R400CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP Drain current: 10.3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V |
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IPA60R400CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3 |
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IPA60R400CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R400CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R400CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R400CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA60R400CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V |
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