Technische Details IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 28W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.
Weitere Produktangebote IPA60R650CEXKSA1 nach Preis ab 0.77 EUR bis 3.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220FP Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.65Ω Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 28W Drain-source voltage: 600V |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 7A TO220FP-3 |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 28W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.92 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 142+ | 1.24 EUR |
| 151+ | 1.15 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 1.5 EUR |
| 61+ | 1.39 EUR |
| 70+ | 1.21 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 2.12 EUR |
| 142+ | 1.2 EUR |
| 151+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 83+ | 2.13 EUR |
| 109+ | 1.61 EUR |
| 200+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 2000+ | 1.04 EUR |
| 4000+ | 1 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.64 EUR |
| 50+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 1.34 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 7A TO220FP-3
MOSFETs N-Ch 600V 7A TO220FP-3
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.81 EUR |
| 10+ | 1.23 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 68+ | 3.7 EUR |
| 143+ | 1.63 EUR |
| 160+ | 1.33 EUR |






