IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 28W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.
Weitere Produktangebote IPA60R650CEXKSA1 nach Preis ab 0.79 EUR bis 4.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 7A TO220FP-3 |
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IPA60R650CEXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 28W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
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IPA60R650CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP Mounting: THT Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Drain current: 7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220FP On-state resistance: 0.65Ω |
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| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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| 142+ | 1.26 EUR |
| 151+ | 1.17 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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| 84+ | 2.14 EUR |
| 142+ | 1.21 EUR |
| 151+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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| 83+ | 2.15 EUR |
| 109+ | 1.62 EUR |
| 200+ | 1.21 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| 2000+ | 1.05 EUR |
| 4000+ | 1 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.64 EUR |
| 50+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 1.34 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 7A TO220FP-3
MOSFETs N-Ch 600V 7A TO220FP-3
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.81 EUR |
| 10+ | 1.23 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 4.22 EUR |
| 125+ | 1.87 EUR |
| 148+ | 1.45 EUR |
| IPA60R650CEXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.65Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.65Ω
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)