IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
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| 500+ | 0.75 EUR |
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Technische Details IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPA60R650CEXKSA1 nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.36 EUR
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Verfügbarkeit |
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IPA60R650CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 28W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 7A TO220FP-3 |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R650CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPA60R650CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |