
IPA60R750E6XKSA1 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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94+ | 1.57 EUR |
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Technische Details IPA60R750E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote IPA60R750E6XKSA1 nach Preis ab 2.34 EUR bis 2.50 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPA60R750E6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA60R750E6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA60R750E6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPA60R750E6XKSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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IPA60R750E6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V |
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