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IPA60R750E6XKSA1

IPA60R750E6XKSA1 Infineon Technologies


41701159039399808ipd60r750e6_2.0_.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2filei.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA60R750E6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V.

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IPA60R750E6XKSA1 IPA60R750E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 41701159039399808ipd60r750e6_2.0_.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2filei.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA60R750E6XKSA1 IPA60R750E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPA60R750E6-DS-v02_03-EN-1731623.pdf MOSFET N-Ch 650V 5.7A TO220FP-3 CoolMOS E6
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IPA60R750E6XKSA1 IPA60R750E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 41701159039399808ipd60r750e6_2.0_.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2filei.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA60R750E6XKSA1 IPA60R750E6XKSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPA60R750E6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a191d8c272ae2 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R750E6XKSA1 - LOW POWERLEGACY
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IPA60R750E6XKSA1 IPA60R750E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPA60R750E6_2.0_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432a14dd54012a191d8c272ae2 Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
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