IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 500+ | 5.54 EUR |
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Technische Details IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.065 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote IPA65R065C7XKSA1 nach Preis ab 5.57 EUR bis 12.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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IPA65R065C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA65R065C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA65R065C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA65R065C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA65R065C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA65R065C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.065 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA65R065C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPA65R065C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| IPA65R065C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA65R065C7XKSA1 THT N channel transistors |
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IPA65R065C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS |
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