IPA65R095C7XKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.68 EUR |
| 10+ | 5.09 EUR |
| 100+ | 4.74 EUR |
| 500+ | 4 EUR |
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Technische Details IPA65R095C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.095 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote IPA65R095C7XKSA1 nach Preis ab 4.69 EUR bis 12.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IPA65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA65R095C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.095 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R095C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 8.82 EUR |
| 50+ | 5 EUR |
| 100+ | 4.69 EUR |
| IPA65R095C7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.095 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - IPA65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.095 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12.09 EUR |
| 30+ | 7.89 EUR |
| 100+ | 5.41 EUR |
| 500+ | 4.93 EUR |