Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R190E6XKSA1
IPA65R190E6XKSA1

IPA65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CAECCFE3B1BF&compId=IPA65R190E6-DTE.pdf?ci_sign=021fbd4cdff9db126bcf3787abcc493e074c7a0c Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.19 EUR
26+2.79 EUR
28+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPA65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IPA65R190E6XKSA1 nach Preis ab 2.52 EUR bis 4.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CAECCFE3B1BF&compId=IPA65R190E6-DTE.pdf?ci_sign=021fbd4cdff9db126bcf3787abcc493e074c7a0c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.19 EUR
26+2.79 EUR
28+2.63 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004583440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433004641.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433004641.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPA65R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301300747ef313b6b Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPA65R190E6_DS_v02_01_EN-3362055.pdf MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH