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IPA65R190E6XKSA1

IPA65R190E6XKSA1 INFINEON

INFN-S-A0004583440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
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Qualifikation: -
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details IPA65R190E6XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IPA65R190E6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301300747ef313b6b IPA65R190E6XKSA1 THT N channel transistors
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IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433004641.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433004641.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPA65R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301300747ef313b6b Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
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IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPA65R190E6_DS_v02_01_EN-3362055.pdf MOSFET HIGH POWER_LEGACY
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