Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R1K0CEXKSA1
IPA65R1K0CEXKSA1

IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies

infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
141+1.23 EUR
143+1.19 EUR
160+1.04 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 141 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm.

Weitere Produktangebote IPA65R1K0CEXKSA1 nach Preis ab 0.76 EUR bis 3.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.23 EUR
143+1.17 EUR
160+1 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies 3572infineon-ipa65r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a4015384.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.59 EUR
131+1.3 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 220000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7 Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
auf Bestellung 1451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
50+1.26 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies infineon_ipa65r1k0ce_ds_en.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.84 EUR
10+1.36 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.82 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 INFINEON Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7 Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
155+1.5 EUR
174+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.2A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf
IPA65R1K0CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
141+1.23 EUR
143+1.17 EUR
160+1 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 3572infineon-ipa65r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a4015384.pdf
IPA65R1K0CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+1.59 EUR
131+1.3 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf
IPA65R1K0CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 220000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7
IPA65R1K0CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
auf Bestellung 1451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.68 EUR
50+1.26 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 infineon_ipa65r1k0ce_ds_en.pdf
IPA65R1K0CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.84 EUR
10+1.36 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.82 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7
IPA65R1K0CEXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+3.4 EUR
155+1.5 EUR
174+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7
IPA65R1K0CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.2A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH