IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPA65R1K0CEXKSA1 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.25 EUR
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Preis | ||||||||||||
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IPA65R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA65R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA65R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V |
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IPA65R1K0CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPA65R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| IPA65R1K0CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 7.2A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.2A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 860mΩ Mounting: THT Gate charge: 15.3nC Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET |
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IPA65R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA65R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA65R1K0CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
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