IPA65R380E6XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 5+ | 5.69 EUR |
| 50+ | 4.57 EUR |
| 100+ | 3.76 EUR |
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Technische Details IPA65R380E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 31W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPA65R380E6XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPA65R380E6XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 31W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA65R380E6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPA65R380E6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPA65R380E6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
Produkt ist nicht verfügbar |