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IPA65R650CEXKSA1

IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies

841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 28W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0001751104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.65Ω
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1000+1.01 EUR
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auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPA65R650CEXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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133+1.76 EUR
171+1.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.65Ω
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IPA65R650CEXKSA1 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
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IPA65R650CEXKSA1 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
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