Technische Details IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPA80R1K0CEXKSA2 nach Preis ab 0.92 EUR bis 3.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 107180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IPA80R1K0CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IPA80R1K0CEXKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
|
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 107180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 345+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.41 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| 10000+ | 1.11 EUR |
| 100000+ | 0.92 EUR |
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 345+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.41 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 32+ | 2.25 EUR |
| 53+ | 1.37 EUR |
| 57+ | 1.26 EUR |
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.54 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.28 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)