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IPA80R750P7XKSA1

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Produktcode: 193874
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA80R750P7_DataSheet_v02_02_EN-3362277.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 388 Stücke:
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10+2.12 EUR
100+1.89 EUR
250+1.87 EUR
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IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 442 Stücke:
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6+3.8 EUR
50+1.83 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 INFINEON 2327415.pdf Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
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IPA80R750P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
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Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
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IPA80R750P7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
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