Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA80R750P7XKSA1
IPA80R750P7XKSA1

IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD1AA640E0143&compId=IPA80R750P7.pdf?ci_sign=4f7ec53a557f057124394852a266cc03e1af40b5 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
48+1.5 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
250+1 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm.

Weitere Produktangebote IPA80R750P7XKSA1 nach Preis ab 1 EUR bis 3.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD1AA640E0143&compId=IPA80R750P7.pdf?ci_sign=4f7ec53a557f057124394852a266cc03e1af40b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
48+1.5 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
250+1 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPA80R750P7_DataSheet_v02_02_EN-3362277.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.96 EUR
10+1.78 EUR
100+1.59 EUR
250+1.57 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.19 EUR
50+1.54 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Hersteller : INFINEON 2327415.pdf Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1
Produktcode: 193874
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH