
IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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35+ | 2.09 EUR |
44+ | 1.64 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
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Technische Details IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm.
Weitere Produktangebote IPA80R750P7XKSA1 nach Preis ab 1.00 EUR bis 2.96 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IPA80R750P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A On-state resistance: 0.9Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Gate charge: 15nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPA80R750P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA80R750P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA80R750P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA80R750P7XKSA1 Produktcode: 193874
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