IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
auf Bestellung 2519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.58 EUR |
| 50+ | 2.22 EUR |
| 100+ | 2.05 EUR |
| 500+ | 1.66 EUR |
| 1000+ | 1.53 EUR |
| 2000+ | 1.46 EUR |
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Technische Details IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R125PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPAN60R125PFD7SXKSA1 nach Preis ab 1.52 EUR bis 4.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R125PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |