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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 1.60 EUR |
| 10+ | 1.33 EUR |
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| 500+ | 0.98 EUR |
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| 2500+ | 0.80 EUR |
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Technische Details IPAN60R600P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 21W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPAN60R600P7SXKSA1 nach Preis ab 1.03 EUR bis 1.60 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IPAN60R600P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPAN60R600P7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPAN60R600P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPAN60R600P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |