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IPAN70R360P7SXKSA1

IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPAN70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26.5W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.88 EUR
207+0.83 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R360P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.95 EUR
52+1.67 EUR
62+1.38 EUR
77+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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auf Bestellung 500 Stücke:
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59+3.05 EUR
100+2.5 EUR
200+1.44 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON infineon-ipan70r360p7s-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPAN70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
87+2.67 EUR
109+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPAN70R360P7S_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 1669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.27 EUR
1000+1 EUR
5000+0.99 EUR
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IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1990565449079461infineon-ipan70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625acbae4c015a.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1253 Stücke:
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48+3.64 EUR
88+1.9 EUR
111+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipan70r360p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.34 EUR
50+1.76 EUR
100+1.58 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1253 Stücke:
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197+0.88 EUR
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IPAN70R360P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
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52+1.67 EUR
62+1.38 EUR
77+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IPAN70R360P7SXKSA1 1990565449079461infineon-ipan70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625acbae4c015a.pdf
IPAN70R360P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IPAN70R360P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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72+3.47 EUR
87+2.67 EUR
109+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.27 EUR
1000+1 EUR
5000+0.99 EUR
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IPAN70R360P7SXKSA1 1990565449079461infineon-ipan70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625acbae4c015a.pdf
IPAN70R360P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+3.64 EUR
88+1.9 EUR
111+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
auf Bestellung 482 Stücke:
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6+3.69 EUR
10+2.34 EUR
50+1.76 EUR
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