Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPAN70R750P7SXKSA1
IPAN70R750P7SXKSA1

IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPAN70R750P7S.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Gate charge: 8.3nC
Power dissipation: 20.8W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±16V
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
117+0.61 EUR
132+0.54 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20.8W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPAN70R750P7SXKSA1 nach Preis ab 1.28 EUR bis 2.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAN70R750P7S-DS-v02_01-EN-1280173.pdf MOSFET CONSUMER
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.99 EUR
100+1.55 EUR
500+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON 2577429.pdf Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R750P7S-DS-v02_01-EN-1280173.pdf
IPAN70R750P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.2 EUR
10+1.99 EUR
100+1.55 EUR
500+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1 2577429.pdf
IPAN70R750P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH