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Technische Details IPAW60R190CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAW60R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26.7 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 34W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IPAW60R190CEXKSA1
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IPAW60R190CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPAW60R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26.7 A, 0.17 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 34W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IPAW60R190CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 26.7A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPAW60R190CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V |
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