| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.32 EUR |
| 10+ | 3.88 EUR |
| 100+ | 3.12 EUR |
| 450+ | 2.59 EUR |
| 2700+ | 2.2 EUR |
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Technische Details IPAW60R280CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote IPAW60R280CEXKSA1 nach Preis ab 0.68 EUR bis 0.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IPAW60R280CEXKSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPAW60R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.3 A, 0.25 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 19.3 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 32 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 32 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS CE Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| IPAW60R280CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPAW60R280CEXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPAW60R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.3 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IPAW60R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.3 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPAW60R280CEXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 19.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 181+ | 0.98 EUR |
| 252+ | 0.68 EUR |