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IPB010N06NATMA1

IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies

IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
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Technische Details IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB010N06N_DS_v02_04_EN-1731679.pdf MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
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250+ 12.4 EUR
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPB010N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPB010N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
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