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IPB010N06NATMA1

IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies

9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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23+7.51 EUR
100+5.43 EUR
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB010N06N_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 562 Stücke:
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50+6.99 EUR
200+5.87 EUR
500+5.59 EUR
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
auf Bestellung 18054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.95 EUR
10+9.42 EUR
100+6.87 EUR
500+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon TIPB010n06n_INFINEON_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+20.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
IPB010N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB010N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
122+5.37 EUR
500+5.01 EUR
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IPB010N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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500+5.01 EUR
1000+4.63 EUR
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f
IPB010N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+5.43 EUR
2000+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
IPB010N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+7.26 EUR
29+5.91 EUR
30+5.74 EUR
100+4.68 EUR
250+4.56 EUR
500+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
IPB010N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+7.26 EUR
29+5.78 EUR
30+5.52 EUR
100+4.43 EUR
250+4.21 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPB010N06NATMA1 INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB010N06NATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+8.97 EUR
200+7.34 EUR
500+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
IPB010N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.66 EUR
23+7.29 EUR
100+5.2 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
IPB010N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.73 EUR
23+7.51 EUR
100+5.43 EUR
500+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB010N06NATMA1 Infineon_IPB010N06N_DS_v02_04_EN.pdf
IPB010N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.58 EUR
10+7.91 EUR
100+5.71 EUR
500+5.46 EUR
1000+5.09 EUR
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IPB010N06NATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.67 EUR
27+8.77 EUR
50+6.99 EUR
200+5.87 EUR
500+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f
IPB010N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
auf Bestellung 18054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.95 EUR
10+9.42 EUR
100+6.87 EUR
500+6.58 EUR
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IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n_INFINEON_0001.pdf
IPB010N06NATMA1
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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