IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.
Weitere Produktangebote IPB011N04NGATMA1 nach Preis ab 2.51 EUR bis 7.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies |
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IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies |
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IPB011N04NGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
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| IPB011N04NGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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| 1000+ | 2.74 EUR |
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| IPB011N04NGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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| 24+ | 7.6 EUR |
| 34+ | 5.31 EUR |
| 50+ | 4.36 EUR |
| 100+ | 4.02 EUR |
| 200+ | 3.94 EUR |
| 500+ | 3.52 EUR |
| 1000+ | 3.24 EUR |
| IPB011N04NGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
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