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IPB011N04NGATMA1

IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies

ipb011n04n_rev1.0.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04n_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 180A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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