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IPB013N06NF2SATMA1

IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24 Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
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Technische Details IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB013N06NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083339.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb013n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
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