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IPB013N06NF2SATMA1

IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineonipb013n06nf2sdatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb013n06nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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auf Bestellung 633 Stücke:
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47+3.76 EUR
48+3.51 EUR
100+3.38 EUR
250+3.27 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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47+3.76 EUR
48+3.38 EUR
100+3.2 EUR
250+3.02 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 INFINEON 3920476.pdf Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 629 Stücke:
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100+4.52 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb013n06nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 18400 Stücke:
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800+5.47 EUR
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IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB013N06NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 809 Stücke:
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1+10.5 EUR
10+5.63 EUR
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IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb013n06nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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24+7.04 EUR
50+5.33 EUR
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IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
auf Bestellung 673 Stücke:
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10+7.47 EUR
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100+5.38 EUR
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IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 INFINEON 3920476.pdf Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 629 Stücke:
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23+11.2 EUR
36+6.57 EUR
100+4.52 EUR
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AnzahlPrivatkunde
800+2.58 EUR
2400+2.46 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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48+3.51 EUR
100+3.38 EUR
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auf Bestellung 633 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
47+3.76 EUR
48+3.38 EUR
100+3.2 EUR
250+3.02 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IPB013N06NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 629 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+4.52 EUR
500+3.75 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 18400 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
800+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+8 EUR
33+5.32 EUR
50+5.06 EUR
100+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.5 EUR
10+5.63 EUR
100+4.41 EUR
500+4.19 EUR
800+4.11 EUR
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IPB013N06NF2SATMA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+10.92 EUR
24+7.04 EUR
50+5.33 EUR
100+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPB013N06NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.19 EUR
10+7.47 EUR
50+5.89 EUR
100+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11.2 EUR
36+6.57 EUR
100+4.52 EUR
500+3.75 EUR
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