IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R.
Weitere Produktangebote IPB014N04NF2SATMA1 nach Preis ab 0.67 EUR bis 4.34 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPB014N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB014N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V |
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IPB014N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V |
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IPB014N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB014N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB014N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V |
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