IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Technische Details IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IPB014N04NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 158+ 0.99 EUR 163+  0.93 EUR 164+  0.89 EUR 171+  0.82 EUR 250+  0.77 EUR 500+  0.67 EUR Mindestbestellmenge: 158 kaufen
	IPB014N04NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V	auf Bestellung 616 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 6+ 2.97 EUR 10+  2.46 EUR 100+  1.96 EUR Mindestbestellmenge: 6 kaufen
	IPB014N04NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH <= 40V	auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 12+ 4.34 EUR 15+  3.64 EUR 100+  2.89 EUR 250+  2.65 EUR 500+  2.41 EUR 800+  2.06 EUR 2400+  1.96 EUR Mindestbestellmenge: 12 kaufen
	IPB014N04NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IPB014N04NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IPB014N04NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen