Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB015N08N5ATMA1
IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.

Weitere Produktangebote IPB015N08N5ATMA1 nach Preis ab 5.11 EUR bis 16.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.55 EUR
3000+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.63 EUR
3000+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB015N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca3499a41e96 Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.06 EUR
31+5.57 EUR
32+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.06 EUR
31+5.7 EUR
32+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.14 EUR
25+6.97 EUR
100+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.15 EUR
25+7.14 EUR
100+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB015N08N5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.28 EUR
10+9.38 EUR
100+7.14 EUR
500+6.94 EUR
1000+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB015N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca3499a41e96 Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.66 EUR
10+9.94 EUR
50+7.91 EUR
100+7.26 EUR
500+7.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.65 EUR
22+10.79 EUR
100+8.44 EUR
500+7.71 EUR
1000+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.65 EUR
22+10.79 EUR
100+8.44 EUR
500+7.71 EUR
1000+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+5.55 EUR
3000+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+5.63 EUR
3000+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 Infineon-IPB015N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca3499a41e96
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.06 EUR
31+5.57 EUR
32+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.06 EUR
31+5.7 EUR
32+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+12.14 EUR
25+6.97 EUR
100+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+12.15 EUR
25+7.14 EUR
100+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 Infineon_IPB015N08N5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.28 EUR
10+9.38 EUR
100+7.14 EUR
500+6.94 EUR
1000+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 Infineon-IPB015N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca3499a41e96
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.66 EUR
10+9.94 EUR
50+7.91 EUR
100+7.26 EUR
500+7.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 INFN-S-A0001300434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.65 EUR
22+10.79 EUR
100+8.44 EUR
500+7.71 EUR
1000+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 INFN-S-A0001300434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.65 EUR
22+10.79 EUR
100+8.44 EUR
500+7.71 EUR
1000+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH