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IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies

2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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auf Bestellung 1000 Stücke:
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IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.2 EUR
3000+4.02 EUR
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IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.58 EUR
500+6.24 EUR
1000+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.09 EUR
15+5.95 EUR
16+5.43 EUR
25+4.8 EUR
50+4.43 EUR
100+4.15 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_02-EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
auf Bestellung 1881 Stücke:
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1+11.04 EUR
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IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.22 EUR
10+7.51 EUR
50+5.9 EUR
100+5.39 EUR
500+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.95 EUR
24+9.82 EUR
100+6.58 EUR
500+6.24 EUR
1000+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPB017N08N5ATMA1 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+3.9 EUR
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IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+3.95 EUR
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IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+4.2 EUR
3000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB017N08N5ATMA1 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB017N08N5ATMA1 INFN-S-A0003614928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.58 EUR
500+6.24 EUR
1000+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5-DTE.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+7.09 EUR
15+5.95 EUR
16+5.43 EUR
25+4.8 EUR
50+4.43 EUR
100+4.15 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPB017N08N5ATMA1 Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_02-EN.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.04 EUR
10+7.39 EUR
100+5.7 EUR
2000+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N08N5ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+11.22 EUR
10+7.51 EUR
50+5.9 EUR
100+5.39 EUR
500+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB017N08N5ATMA1 INFN-S-A0003614928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+13.95 EUR
24+9.82 EUR
100+6.58 EUR
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