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IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
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IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb017n10n5_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2
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IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
auf Bestellung 16941 Stücke:
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2+10.89 EUR
10+7.27 EUR
50+5.72 EUR
100+5.22 EUR
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IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.17 EUR
31+7.68 EUR
50+6.62 EUR
200+5.52 EUR
500+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.49 EUR
26+9.03 EUR
50+7.2 EUR
200+6.05 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N10N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
auf Bestellung 870 Stücke:
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IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB017N10N5ATMA1 Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.07 EUR
3000+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+5.47 EUR
500+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 136000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+6.63 EUR
68000+6 EUR
102000+5.5 EUR
136000+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.84 EUR
27+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2
auf Bestellung 27211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.01 EUR
10+5.76 EUR
100+5.21 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.52 EUR
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IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+10.45 EUR
32+5.53 EUR
100+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.47 EUR
31+5.66 EUR
100+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.61 EUR
25+6.9 EUR
33+5.15 EUR
100+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.61 EUR
25+7.06 EUR
33+5.36 EUR
100+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N10N5ATMA1 Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
auf Bestellung 16941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.89 EUR
10+7.27 EUR
50+5.72 EUR
100+5.22 EUR
500+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB017N10N5ATMA1 INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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19+13.17 EUR
31+7.68 EUR
50+6.62 EUR
200+5.52 EUR
500+5.12 EUR
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IPB017N10N5ATMA1 INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.49 EUR
26+9.03 EUR
50+7.2 EUR
200+6.05 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5-DTE.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
auf Bestellung 870 Stücke:
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