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IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB017N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 39760874-5
Price: 3780.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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Technische Details IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPB017N10N5ATMA1 nach Preis ab 3.17 EUR bis 9.49 EUR

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IPB017N10N5ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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IPB017N10N5ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

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Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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IPB017N10N5ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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IPB017N10N5ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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27+	5.3 EUR

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Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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17+	8.82 EUR
26+	5.23 EUR
100+	3.95 EUR
250+	3.72 EUR
500+	3.17 EUR

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IPB017N10N5ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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17+	8.82 EUR
26+	5.23 EUR
100+	3.95 EUR
250+	3.72 EUR
500+	3.17 EUR

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MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2

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1+	9.29 EUR
10+	5.93 EUR
100+	4.8 EUR
500+	4.63 EUR
1000+	3.94 EUR

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IPB017N10N5ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

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2+	9.49 EUR
10+	6.08 EUR
100+	4.72 EUR
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IPB017N10N5ATMA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1282 Stücke:

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IPB017N10N5ATMA1

Hersteller : INFINEON

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Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IPB017N10N5ATMA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA789EA0C3611C&compId=IPB017N10N5-DTE.pdf?ci_sign=0831c35b1695eacb56b73ab26680094032011dbd

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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