IPB019N08N3G

IPB019N08N3G Infineon Technologies


ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB019N08N3G Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7, Mounting: SMD, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO263-7, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 180A, On-state resistance: 1.9mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 300W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPB019N08N3 G IPB019N08N3 G Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB019N08N3_DS_v02_03_en-1227160.pdf MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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IPB019N08N3G Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAB6DE35C77DE27&compId=IPB019N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=07ce8f1173d501dc930f45ad7fa2fde175466987 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB019N08N3G Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAB6DE35C77DE27&compId=IPB019N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=07ce8f1173d501dc930f45ad7fa2fde175466987 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
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Type of transistor: N-MOSFET
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