IPB019N08N3G Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 17+ | 9.21 EUR |
| 25+ | 8.50 EUR |
| 50+ | 7.87 EUR |
| 100+ | 7.31 EUR |
| 250+ | 6.81 EUR |
| 500+ | 6.35 EUR |
| 1000+ | 5.92 EUR |
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Technische Details IPB019N08N3G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7, Mounting: SMD, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO263-7, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 180A, On-state resistance: 1.9mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 300W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.
Weitere Produktangebote IPB019N08N3G nach Preis ab 4.96 EUR bis 9.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPB019N08N3 G | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB019N08N3 G | Hersteller : Infineon |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPB019N08N3G | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-7 Drain-source voltage: 80V Drain current: 180A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPB019N08N3G | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-7 Drain-source voltage: 80V Drain current: 180A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar |
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