IPB019N08N3G Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 10.84 EUR |
| 25+ | 10.22 EUR |
| 50+ | 9.62 EUR |
| 100+ | 9.09 EUR |
| 250+ | 8.68 EUR |
| 500+ | 8.31 EUR |
| 1000+ | 7.91 EUR |
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Technische Details IPB019N08N3G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO263-7, On-state resistance: 1.9mΩ, Power dissipation: 300W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 3, Drain current: 180A, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IPB019N08N3G nach Preis ab 4.65 EUR bis 12.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPB019N08N3 G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 1791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB019N08N3 G | Infineon |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB019N08N3 G |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 1791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 12.1 EUR |
| 10+ | 7.91 EUR |
| 100+ | 5.84 EUR |
| 500+ | 5.28 EUR |
| 1000+ | 4.65 EUR |
| IPB019N08N3 G |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)