IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm.
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IPB019N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB019N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB019N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB019N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB019N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB019N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
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IPB019N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V |
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IPB019N08N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm |
auf Bestellung 2501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB019N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB019N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB019N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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