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IPB019N08NF2SATMA1

IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 INFINEON 3812003.pdf Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
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IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB019N08NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
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Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
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Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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