Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB019N08NF2SATMA1
IPB019N08NF2SATMA1

IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b169ef1afe Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
auf Bestellung 141 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+5.90 EUR
10+4.14 EUR
100+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPB019N08NF2SATMA1 nach Preis ab 2.33 EUR bis 6.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB019N08NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3084798.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.12 EUR
10+4.28 EUR
100+2.46 EUR
250+2.38 EUR
800+2.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Hersteller : INFINEON 3812003.pdf Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Hersteller : INFINEON 3812003.pdf Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf SP005571690
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b169ef1afe Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH