IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPB020N08N5ATMA1 nach Preis ab 1.72 EUR bis 6.07 EUR
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 |
auf Bestellung 1215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB020N08N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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