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IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.9 EUR
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.25 EUR
3000+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+6.15 EUR
500+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.76 EUR
200+6.06 EUR
500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.52 EUR
24+7.03 EUR
50+6.62 EUR
100+4.7 EUR
500+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.53 EUR
24+7.2 EUR
50+6.88 EUR
100+4.96 EUR
500+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.97 EUR
28+8.47 EUR
50+7.76 EUR
200+6.06 EUR
500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB020N10N5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
auf Bestellung 2782 Stücke:
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1+13.04 EUR
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
auf Bestellung 14869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.36 EUR
10+9.7 EUR
50+7.69 EUR
100+7.04 EUR
500+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423 Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.65 EUR
21+8.04 EUR
25+7.41 EUR
100+5.72 EUR
250+5.28 EUR
500+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+5.25 EUR
3000+5.18 EUR
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IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
107+6.15 EUR
500+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.76 EUR
200+6.06 EUR
500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.52 EUR
24+7.03 EUR
50+6.62 EUR
100+4.7 EUR
500+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5ATMA1 infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.53 EUR
24+7.2 EUR
50+6.88 EUR
100+4.96 EUR
500+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5ATMA1 INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.97 EUR
28+8.47 EUR
50+7.76 EUR
200+6.06 EUR
500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 Infineon_IPB020N10N5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
auf Bestellung 2782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.04 EUR
10+8.19 EUR
100+6.34 EUR
500+5.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5ATMA1 Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
auf Bestellung 14869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.36 EUR
10+9.7 EUR
50+7.69 EUR
100+7.04 EUR
500+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5ATMA1 Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.65 EUR
21+8.04 EUR
25+7.41 EUR
100+5.72 EUR
250+5.28 EUR
500+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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