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IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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24+7.37 EUR
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB020N10N5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1505 Stücke:
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IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
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IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423 Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
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19+9.87 EUR
21+8.22 EUR
25+7.58 EUR
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250+5.4 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
auf Bestellung 13000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.76 EUR
24+7.19 EUR
50+6.77 EUR
100+4.81 EUR
500+4.46 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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50+7.04 EUR
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500+4.84 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
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1+13.59 EUR
10+7.31 EUR
100+6.7 EUR
500+6.41 EUR
1000+5.99 EUR
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IPB020N10N5ATMA1 Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
auf Bestellung 13491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.89 EUR
10+9.38 EUR
50+7.45 EUR
100+6.83 EUR
500+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.92 EUR
25+9.63 EUR
50+8.52 EUR
200+8.16 EUR
500+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5ATMA1 INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.92 EUR
25+9.63 EUR
50+8.52 EUR
200+8.16 EUR
500+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IPB020N10N5ATMA1 Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.87 EUR
21+8.22 EUR
25+7.58 EUR
100+5.85 EUR
250+5.4 EUR
500+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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