IPB020N10N5LF

IPB020N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2F8657C14D10749&compId=IPB020N10N5LF.pdf?ci_sign=d2dde93c8ab6b6de09ca42907929750b1d27bba8 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar

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Technische Details IPB020N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 120A, Power dissipation: 313W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 5, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.

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IPB020N10N5LF IPB020N10N5LF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2F8657C14D10749&compId=IPB020N10N5LF.pdf?ci_sign=d2dde93c8ab6b6de09ca42907929750b1d27bba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
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