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IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 313W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.82 EUR
3000+5.78 EUR
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auf Bestellung 64000 Stücke:
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1000+6.28 EUR
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auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.26 EUR
23+7.39 EUR
50+7 EUR
100+5.43 EUR
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auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.28 EUR
23+7.57 EUR
50+7.28 EUR
100+5.75 EUR
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auf Bestellung 1830 Stücke:
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13+13.71 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.7 EUR
26+9.03 EUR
100+6.47 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.7 EUR
26+9.03 EUR
100+6.47 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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auf Bestellung 10339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.89 EUR
10+8.04 EUR
100+7.39 EUR
500+6.72 EUR
1000+6.37 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
auf Bestellung 29444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.89 EUR
10+10.07 EUR
50+8.01 EUR
100+7.34 EUR
500+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.49 EUR
10+17.37 EUR
50+15.11 EUR
100+13.46 EUR
200+12.8 EUR
500+11.58 EUR
1000+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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auf Bestellung 18 Stücke:
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auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1000+5.14 EUR
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auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1000+5.32 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB020N10N5LFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+5.82 EUR
3000+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB020N10N5LFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+6.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPB020N10N5LFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+11.26 EUR
23+7.39 EUR
50+7 EUR
100+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPB020N10N5LFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+11.28 EUR
23+7.57 EUR
50+7.28 EUR
100+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPB020N10N5LFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+13.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1 2718763.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.7 EUR
26+9.03 EUR
100+6.47 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1 2718763.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.7 EUR
26+9.03 EUR
100+6.47 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67
IPB020N10N5LFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 10339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.89 EUR
10+8.04 EUR
100+7.39 EUR
500+6.72 EUR
1000+6.37 EUR
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IPB020N10N5LFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
auf Bestellung 29444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.89 EUR
10+10.07 EUR
50+8.01 EUR
100+7.34 EUR
500+6.69 EUR
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IPB020N10N5LFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
9+19.49 EUR
10+17.37 EUR
50+15.11 EUR
100+13.46 EUR
200+12.8 EUR
500+11.58 EUR
1000+10.23 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Infineon
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