IPB023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 377+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
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Technische Details IPB023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.
Weitere Produktangebote IPB023N04NF2SATMA1 nach Preis ab 1.55 EUR bis 5.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPB023N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB023N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N |
auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB023N04NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB023N04NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 362 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB023N04NF2SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 377+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| IPB023N04NF2SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
MOSFETs N
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.08 EUR |
| 10+ | 3.08 EUR |
| 100+ | 2.23 EUR |
| 250+ | 2.2 EUR |
| 500+ | 2.08 EUR |
| 800+ | 1.56 EUR |
| 2400+ | 1.55 EUR |
| IPB023N04NF2SATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 5.59 EUR |
| 79+ | 2.98 EUR |
| 102+ | 2.12 EUR |
| IPB023N04NF2SATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)