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IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1 INFINEON

INFN-S-A0000250417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details IPB024N08N5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Infineon Technologies 1264617398769473infineon-ipb024n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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45+3.61 EUR
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IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB024N08N5_DS_v02_01_EN-1226841.pdf MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
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IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB024N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf6424d01c0b Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
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Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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100+3.44 EUR
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auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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45+3.75 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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29+8.84 EUR
46+5.08 EUR
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