IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 24+ | 2.99 EUR |
| 26+ | 2.82 EUR |
| 100+ | 2.69 EUR |
| 250+ | 2.42 EUR |
| 500+ | 2.29 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPB025N08N3GATMA1 nach Preis ab 3.11 EUR bis 8.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB025N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V |
auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPB025N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB025N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V |
auf Bestellung 11154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB025N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB025N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPB025N08N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
IPB025N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
IPB025N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
IPB025N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |