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IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies

IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
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Technische Details IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 652 Stücke:
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18+4.94 EUR
23+3.71 EUR
100+2.98 EUR
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22+7.97 EUR
35+4.77 EUR
100+3.95 EUR
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auf Bestellung 240 Stücke:
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22+7.98 EUR
35+4.88 EUR
100+4.11 EUR
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18+9.65 EUR
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50+6 EUR
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500+4.76 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
auf Bestellung 8019 Stücke:
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3+10.36 EUR
10+6.9 EUR
100+4.94 EUR
500+4.44 EUR
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17+10.46 EUR
25+10.14 EUR
100+9.82 EUR
250+9.57 EUR
500+9.33 EUR
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17+10.72 EUR
18+9.22 EUR
25+8.79 EUR
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250+6.54 EUR
500+5.31 EUR
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IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.07 EUR
31+7.72 EUR
100+5.7 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.12 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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1000+4.12 EUR
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auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
150+4.3 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
150+4.3 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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auf Bestellung 304 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
150+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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auf Bestellung 196000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+4.44 EUR
98000+4.01 EUR
147000+3.68 EUR
196000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+4.94 EUR
23+3.71 EUR
100+2.98 EUR
250+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 240 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
22+7.97 EUR
35+4.77 EUR
100+3.95 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+7.98 EUR
35+4.88 EUR
100+4.11 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
18+9.65 EUR
22+8.06 EUR
50+6 EUR
200+5.52 EUR
500+4.76 EUR
1000+4.57 EUR
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IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b
IPB025N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
auf Bestellung 8019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.36 EUR
10+6.9 EUR
100+4.94 EUR
500+4.44 EUR
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IPB025N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.46 EUR
25+10.14 EUR
100+9.82 EUR
250+9.57 EUR
500+9.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB025N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.72 EUR
18+9.22 EUR
25+8.79 EUR
100+6.89 EUR
250+6.54 EUR
500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB025N08N3GATMA1 INFN-S-A0002263283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB025N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+13.07 EUR
31+7.72 EUR
100+5.7 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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